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V12PM6HM3/H

更新时间： 2024-01-30 03:59:30

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威世 - VISHAY		功效瞄准线测试光电二极管
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5页	107K
描述
High Current Density Surface-Mount TMBSÂ® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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V12PM6HM3/H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.72
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.64 V	JEDEC-95代码：	TO-277A
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	4.8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	1000 µA	反向测试电压：	60 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

V12PM6HM3/H 数据手册

V12PM6

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High Current Density Surface-Mount

TMBS^®(Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

Ultra Low V_F= 0.39 V at I_F= 6 A

FEATURES

eSMP^®Series

Available

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code; base P/NHM3

SMPC (TO-277A)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Anode 1

Anode 2

Cathode

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

click logo to get started

DESIGN SUPPORT TOOLS

Models

Available

MECHANICAL DATA

Case: SMPC (TO-277A)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

Base P/N-M3

commercial grade

Base P/NHM3

AEC-Q101 qualified

halogen-free, RoHS-compliant, and

I_F(AV)

12.0 A

60 V

V_RRM

halogen-free, RoHS-compliant, and

I_FSM

V_Fat I_F= 12.0 A (T_A= 125 °C)

T_Jmax.

200 A

0.52 V

175 °C

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Package

SMPC (TO-277A)

Single



Circuit configuration

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V12PM6

V12M6

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

(1)

I_F

12.0

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

(2)

I_F

4.8

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

200

(3)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

T_J

-40 to +175

-55 to +175

°C

T_STG

Notes

(1)

(2)

(3)

Mounted on 30 mm x 30 mm pad areas aluminum PCB

Free air, mounted on recommended copper pad area

The heat generated must be less than the thermal conductivity from junction-to-ambient: dP_D/dT_J<1/ R_JA

Revision: 24-Oct-2018

Document Number: 87437

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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