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V104AJ236S10

更新时间: 2024-01-31 18:34:22
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 340K
描述
x36 Fast Page Mode DRAM Module

V104AJ236S10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N72内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:36
端子数量:72字数:524288 words
字数代码:512000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:25.654 mm
最大待机电流:0.0256 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.44 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

V104AJ236S10 数据手册

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