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V10150S-M3/4W PDF预览

V10150S-M3/4W

更新时间： 2024-11-21 21:13:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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V10150S-M3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.43
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

V10150S-M3/4W 数据手册

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V10150S, VI10150S  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
TO-262AA  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
K
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,  
per JESD 22-B106  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
3
2
2
1
1
TYPICAL APPLICATIONS  
V10150S  
VI10150S  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 2  
K
CASE  
PIN 3  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-220AB and TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IF(AV)  
10 A  
150 V  
120 A  
0.69 V  
150 °C  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
VRRM  
commercial grade  
IFSM  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 10 A  
TJ max.  
Package  
TO-220AB, TO-262AA  
Single  
Polarity: as marked  
Diode variation  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
V10150S  
VI10150S  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
150  
10  
V
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
120  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
0.79  
1.05  
0.59  
0.69  
1.3  
1.2  
-
MAX.  
UNIT  
IF = 5 A  
-
1.20  
-
TA = 25 °C  
IF = 10 A  
IF = 5 A  
(1)  
Instantaneous forward voltage  
VF  
V
TA = 125 °C  
IF = 10 A  
0.75  
-
TA = 25 °C  
TA = 125 °C  
TA = 25 °C  
TA = 125 °C  
μA  
mA  
μA  
VR = 100 V  
VR = 150 V  
-
(2)  
Reverse current  
IR  
150  
15  
3
mA  
Notes  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Pulse test: Pulse width 40 ms  
(2)  
Revision: 06-Nov-17  
Document Number: 89246  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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V10150S-M3/4W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
V10150SHM3/4W VISHAY

完全替代

 DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V10150S-E3/4W VISHAY

完全替代

 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

与V10150S-M3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V10150S-M3-4W VISHAY

获取价格

 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10170C-M3 VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5
V-10-1A4 OMRON

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