Datasheet > V10150C-M3/4W

V10150C-M3/4W

更新时间： 2024-11-21 20:10:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	134K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

V10150C-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	2.09
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.41 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	150 V
最大反向电流：	100 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

V10150C-M3/4W 数据手册

V10150C, VI10150C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.63 at I_F= 3 A

FEATURES

TMBS^®

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

TO-220AB

TO-262AA

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

VI10150C

V10150C

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

PIN 3

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 5.0 A

150 V

Base P/N-M3

commercial grade

Base P/NHM3

AEC-Q101 qualified

halogen-free, RoHS-compliant, and

V_RRM

halogen-free, RoHS-compliant, and

I_FSM

60 A

V_Fat I_F= 5 A

T_Jmax.

0.69 V

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix

Package

TO-220AB, TO-262AA

Common cathode

Diode variation

meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs max.

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V10150C

VI10150C

UNIT

Max. repetitive peak reverse voltage

V_RRM

150

per device

per diode

Max. average forward rectified current (fig. 1)

I_F(AV)

5.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

I_FSM

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Revision: 16-Aug-13

Document Number: 89154

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与V10150C-M3/4W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V10150C-M3-4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10150S	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
V10150S_11	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10150S_12	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10150S-E3	VISHAY	获取价格	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
V10150S-E3/4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
V10150SHM3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V10150SHM3-4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V10150S-M3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V10150S-M3-4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

与V10150C-M3/4W相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V10150C-M3/4W

V10150C-M3/4W 技术参数

V10150C-M3/4W 数据手册

与V10150C-M3/4W相关器件

与V10150C-M3/4W相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V10150C-M3/4W

V10150C-M3/4W 技术参数

V10150C-M3/4W 数据手册

与V10150C-M3/4W相关器件

与V10150C-M3/4W相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？