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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.31 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UZVN2106ASTOB | ZETEX | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| UZVN2106G | DIODES | Power Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UZVN2106GTA | ZETEX | Power Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UZVN2106GTC | ZETEX | Power Field-Effect Transistor, 0.71A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UZVN2110A | DIODES | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UZVN2110ASTOB | ZETEX | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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