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UZHB6792

更新时间： 2024-11-04 15:56:27

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	100K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN

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UZHB6792 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UZHB6792 数据手册

SM-8 BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE

ZHB6792

PRELIMINARY DATA SHEET ISSUE A MAY 1998

FEATURES

Compact package

Low on state losses

Low drive requirements

Operates up to 70V supply

1 Amp continuous rating

SM-8

(8 LEAD SOT223)

PARTMARKING DETAIL – ZHB6792

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

NPNs

PNPs

-70

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-2

Continuous Collector Current

I_C

-1

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +150

°C

SCHEMATIC DIAGRAM

CONNECTION DIAGRAM

E1, E4

C_1,C₂

B₁

B₂

E₁,E₄

C₃,C₄

B₄

E₂,E₃

B₃

C1, C2

C3, C4

E2, E3

12 3 4 5 6 7

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