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UZDT605

更新时间： 2024-11-06 21:16:59

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN

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UZDT605 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	2 BANKS, DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UZDT605 数据手册

SM-8 DUAL NPN MEDIUM POWER

ZDT605

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 1 - NOVEMBER 1995

B₁

E₁

B₂

E₂

C₁

C₂

SM-8

PARTMARKING DETAIL T605

(8 LEAD SOT223)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

140

120

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

UNIT

Total Power Dissipation at T_amb= 25°C*

Any single die on

Both die on equally

2.25

2.75

Derate above 25°C*

Any single die on

Both die on equally

mW/ °C

Thermal Resistance - Junction to Ambient*

Any single die on

Both die on equally

55.6

45.5

°C/ W

* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a PCB

with copper equal to 2 inches square.

3 - 324

12 3

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