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UZDM4306NTA

更新时间： 2024-11-06 21:11:15

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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UZDM4306NTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	30 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G10
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	10
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	3 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UZDM4306NTA 数据手册

SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT

ZDM4306N

MODE MOSFETS

ISSUE 1 - NOVEMBER 1995

D₁

D₂

G₁

S₁

G₂

S₂

SM-8

(8 LEAD SOT223)

PARTMARKING DETAIL – M4306N

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Operating and Storage Tem perature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

UNIT

Total Power Dissipation at T_{am b}= 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

2.5

3.0

Derate above 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

m W/ °C

Therm al Resistance - J unction to Am bient*

Any single die “on”

Both die “on” equally

50.0

41.6

°C/ W

* The power which can be dissipated assum ing the device is m ounted in a typical m anner on a PCB

with copper equal to 2 inches square.

Note:

This data is derived from developm ent m aterial and does not necessarily m ean that the device will

go into production

3 - 321

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UZDT1048TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 17.5V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UZDT1049	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
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