Datasheet > UZDM4206N

UZDM4206N

更新时间： 2024-11-24 21:15:43

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	100K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SM-8, 8 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UZDM4206N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SM-8, 8 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	20 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	2.75 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UZDM4206N 数据手册

SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT

ZDM4206N

MODE AVALANCHE RATED MOSFET

ISSUE 1 - NOVEMBER 1995

D₁

D₂

G₁

S₁

G₂

S₂

SM-8

PARTMARKING DETAIL – M4206N

(8 LEAD SOT223)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Body Diode Current at T_{am b}=25°C

Avalanche Current – Repetitive

I_SD

600

I_AR

m J

°C

Avalanche Energy – Repetitive

E_AR

Operating and Storage Tem perature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

UNIT

Total Power Dissipation at T_{am b}= 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

2.25

2.75

Derate above 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

m W/ °C

Therm al Resistance - J unction to Am bient*

Any single die “on”

Both die “on” equally

55.6

45.5

°C/ W

* The power which can be dissipated assum ing the device is m ounted in a typical m anner on a PCB

with copper equal to 2 inches square.

3 - 317

12 3

中文翻译

下载PDF

与UZDM4206N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UZDM4306N	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
UZDM4306N	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
UZDM4306NTA	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
UZDM4306NTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
UZDT1048	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 17.5V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UZDT1048TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 17.5V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UZDT1048TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 17.5V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UZDT1049	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
UZDT1049	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8
UZDT1049TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8

与UZDM4206N相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UZDM4206N

UZDM4206N 技术参数

UZDM4206N 数据手册

与UZDM4206N相关器件

与UZDM4206N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UZDM4206N

UZDM4206N 技术参数

UZDM4206N 数据手册

与UZDM4206N相关器件

与UZDM4206N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？