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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 480 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 340 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 260 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UTT50N06L-TF1-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| UTT50N06L-TF3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| UTT50N06L-TM3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| UTT50N06L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| UTT50N06L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| UTT50N06L-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| UTT50N06L-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| UTT50N06M | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
| UTT50P04 | UTC |
获取价格 |
-40V, -60A P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UTT50P04G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
-40V, -60A P-CHANNEL POWER MOSFET |
|
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