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UTT50N06G-TN3-T

更新时间： 2024-02-21 04:57:07

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友顺 - UTC		开关脉冲晶体管
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8页	352K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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UTT50N06G-TN3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.08	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	100 pF	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	114 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	340 ns	最大开启时间（吨）：	260 ns
Base Number Matches：	1

UTT50N06G-TN3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT50N06

Power MOSFET

50A, 60V N-CHANNEL

POWER MOSFET



DESCRIPTION

The UTC UTT50N06 is an N-channel power MOSFET using

UTC’s advanced technology to provide customers with

minimum on-state resistance and superior switching performance.

The UTC UTT50N06 is generally applied in low power

switching mode power appliances and electronic ballast.



FEATURES

* R_DS(ON)=16mΩ @ V_GS=10V, I_D= 50A

* Low Gate Charge (Typical 30nC)

* High Switching Speed

* Improved dv/dt capability



SYMBOL

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UTT50N06L-TA3-T

UTT50N06L-TN3-T

UTT50N06L-TN3-R

UTT50N06G-TA3-T

UTT50N06G-TN3-T

UTT50N06G-TN3-R

TO-220

TO-252

Tube

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-704.C

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