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UTR51E3

更新时间: 2024-10-14 21:12:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
10页 907K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS, A PACKAGE-2

UTR51E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS, A PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.4 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

UTR51E3 数据手册

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