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UTD3055G-TN3-R

更新时间： 2024-09-18 07:08:55

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4页	140K
描述
POWER MOSFET 12 AMPS, 60 VOLTS N–CHANNEL DPAK

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UTD3055G-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	72 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UTD3055G-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTD3055

Preliminary

Power MOSFET

POWER MOSFET 12 AMPS, 60

VOLTS N–CHANNEL DPAK

DESCRIPTION

The UTC UTD3055 is an N-channel Power MOSFET, and it can

withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

The UTC UTD3055 is needed for applications, such as power

supplies, converters and power motor controls which require low

voltage and high speed switching. These devices are particularly

well suited for bridge circuits where diode speed and commutating

safe operating areas are critical and offer additional safety margin

against unexpected voltage transients.

FEATURES

* I_DSSand V_DS(on)Specified At Elevated Temperature

* Avalanche Energy Specified

SYMBOL

Drain

Gate

Source

ORDERING INFORMATION

Pin Assignment

Ordering Number

Package

TO-252

Packing

UTD3055G-TN3-R

Tape Reel

Note: D; Drain, G: Gate, S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-460.a

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与UTD3055G-TN3-R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UTD351	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD351_15	UTC	获取价格	N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
UTD351-AE3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD351G-AE2-R	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UTD351G-AE3-R	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UTD351L-AE3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD36N03	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD36N03_15	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD36N03G-TA3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UTD36N03G-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE