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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CAN4+1,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | MODULE | 最大输入功率 (CW)： | 10 dBm |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 5 |
| 最大工作频率： | 2000 MHz | 最小工作频率： | 10 MHz |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装等效代码： | CAN4+1,.3 |
| 电源： | 5 V | 射频/微波设备类型： | THRESHOLD DETECTOR |
| 子类别： | RF/Microwave Detectors | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大电压驻波比： | 2.2 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UTD20N03 | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER M OSFET |
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| UTD20N03G-TN3-R | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER M OSFET |
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| UTD3055 | UTC |
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POWER MOSFET 12 AMPS, 60 VOLTS N–CHANNEL DPAK |
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| UTD3055G-TN3-R | UTC |
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POWER MOSFET 12 AMPS, 60 VOLTS N–CHANNEL DPAK |
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| UTD351 | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| UTD351_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| UTD351-AE3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| UTD351G-AE2-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UTD351G-AE3-R | UTC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UTD351L-AE3-R | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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