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2N7000L-T92-K

更新时间： 2024-02-07 23:30:17

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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2N7000L-T92-K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.56	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	7.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7000L-T92-K 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2N7000

Power MOSFET

N-CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION

The UTC 2N7000 has been designed to minimize on-state

resistance while provide rugged, reliable, and fast switching

performance. It can be used in most applications requiring up to

400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. The product is

particularly suited for low voltage, low current applications such as

small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other

switching applications

TO-92

FEATURES

*High density cell design for low R_DS(ON)

*Voltage controlled small signal switch

*Rugged and reliable

*High saturation current capability

SYMBOL

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

2N7000G-T92-B

2N7000G-T92-K

2N7000G-T92-R

2N7000L-T92-B

2N7000L-T92-K

2N7000L-T92-R

TO-92

Tape Box

Bulk

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-059.C

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