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25N06G-TA3-T

更新时间： 2024-01-24 17:23:29

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描述
25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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25N06G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

25N06G-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

25N06

Preliminary

Power MOSFET

25A, 60V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 25N06 is an N-channel enhancement mode power

MOSFET, which provides low gate charge, avalanche rugged

technology, and so on.

The UTC 25N06 is universally applied in DC-DC & DC-AC

converters, motor control, high current, high speed switching,

solenoid and relay drivers, regulators, audio amplifiers, automotive

environment.

FEATURES

* Low Gate Charge

* R_DS(on)= 0.048 Ω (TYP.)

* Avalanche Rugged Technology

* 100% Avalanche Tested

* Repetitive Avalanche at 100°C

* High Current Capability

* Operating Temperature: 150°C

* Application Oriented Characterization

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

25N06L-TA3-T

25N06L-TN3-T

25N06L-TN3-R

25N06G-TA3-T

25N06G-TN3-T

25N06G-TN3-R

TO-220

TO-252

Tube

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate, D: Drain, S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-450.b

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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