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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 380 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 416 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 22N65 | UTC | HEXFET POWER MOSFET |
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| 22N65_11 | UTC | 22A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 22N65G-T3P-T | UTC | Power Field-Effect Transistor |
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| 22N65G-T47-T | UTC | HEXFET POWER MOSFET |
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| 22N65L-T47-T | UTC | HEXFET POWER MOSFET |
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| 22NA005G | ETC | Industrial Control IC |
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