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15N06G-TN3-R

更新时间: 2024-02-08 21:46:10
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 240K
描述
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

15N06G-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.65Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):50 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

15N06G-TN3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
15N06  
Power MOSFET  
15A, 60V N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
1
1
TO-220  
TO-220F  
TO-252  
„
DESCRIPTION  
The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate  
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM  
applications.  
1
„
FEATURES  
* RDS(ON)<100m@VGS=5V, ID=7.5A  
* Low capacitance  
* Low gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
SOP-8  
„
SYMBOL  
Drain  
Gate  
Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
G
G
G
G
S
S
2
D
D
D
D
S
S
3
S
S
S
S
S
S
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
15N06L-TA3-T  
15N06L-TF3-T  
15N06L-TN3-R  
15N06L-TN3-T  
15N06L-S08-R  
15N06L-S08-T  
15N06G-TA3-T  
15N06G-TF3-T  
15N06G-TN3-R  
15N06G-TN3-T  
15N06G-S08-R  
15N06G-S08-T  
TO-220  
TO-220F  
TO-252  
TO-252  
SOP-8  
Tube  
Tube  
-
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-
-
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Tape Reel  
Tube  
-
-
-
-
-
G
G
D
D
D
D
D
D
D Tape Reel  
Tube  
SOP-8  
D
www.unisonic.com.tw  
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QW-R502-260.D  

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