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15N06G-TF3-T

更新时间: 2024-02-26 17:53:00
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6页 240K
描述
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

15N06G-TF3-T 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.65Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):50 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

15N06G-TF3-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
15N06  
Power MOSFET  
15A, 60V N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
1
1
TO-220  
TO-220F  
TO-252  
„
DESCRIPTION  
The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate  
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM  
applications.  
1
„
FEATURES  
* RDS(ON)<100m@VGS=5V, ID=7.5A  
* Low capacitance  
* Low gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
SOP-8  
„
SYMBOL  
Drain  
Gate  
Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
G
G
G
G
S
S
2
D
D
D
D
S
S
3
S
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S
S
S
S
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8
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15N06L-TA3-T  
15N06L-TF3-T  
15N06L-TN3-R  
15N06L-TN3-T  
15N06L-S08-R  
15N06L-S08-T  
15N06G-TA3-T  
15N06G-TF3-T  
15N06G-TN3-R  
15N06G-TN3-T  
15N06G-S08-R  
15N06G-S08-T  
TO-220  
TO-220F  
TO-252  
TO-252  
SOP-8  
Tube  
Tube  
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Tape Reel  
Tube  
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G
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D Tape Reel  
Tube  
SOP-8  
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www.unisonic.com.tw  
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QW-R502-260.D  

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