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12P10L-TQ2-T

更新时间: 2024-01-11 04:37:15
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 265K
描述
9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET

12P10L-TQ2-T 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.61Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):370 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9.4 A最大漏极电流 (ID):9.4 A
最大漏源导通电阻:0.29 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):65 W最大脉冲漏极电流 (IDM):37.6 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

12P10L-TQ2-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
12P10  
Power MOSFET  
9.4A, 100V P-CHANNEL  
POWER MOSFET  
„
DESCRIPTION  
The 12P10 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS  
technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and  
operation with low gate voltages. This device is suitable to be  
used in low voltage applications such as audio amplifier, high  
efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.  
„
FEATURES  
* RDS(ON) = 0.29@VGS = -10 V  
* Low capacitance  
* Low gate charge  
* Fast switching capability  
* Avalanche energy specified  
„
SYMBOL  
2.Drain  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
2
3
S
S
S
S
12P10L-TM3-T  
12P10L-TN3-R  
12P10L-TQ2-R  
12P10L-TQ2-T  
12P10G-TM3-T  
12P10G-TN3-R  
12P10G-TQ2-R  
12P10G-TQ2-T  
TO-251  
TO-252  
TO-263  
TO-263  
G
G
G
G
D
D
D
D
Tube  
Tape Reel  
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
1 of 6  
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-262.B  

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