生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.61 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 370 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.29 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 65 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 37.6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
12P10K1 | ETC | Analog IC |
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12P10L-AA3-R | UTC | P-CHANNEL POWER MOSFET |
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12P10L-S08-R | UTC | P-CHANNEL POWER MOSFET |
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12P10L-TM3-T | UTC | 9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET |
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12P10L-TMS-T | UTC | P-CHANNEL POWER MOSFET |
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12P10L-TN3-R | UTC | 100V P-CHANNEL MOSFET |
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