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12P10G-TN3-T

更新时间： 2024-02-27 07:16:14

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描述
100V P-CHANNEL MOSFET

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12P10G-TN3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.4 A
最大漏极电流 (ID)：	9.4 A	最大漏源导通电阻：	0.29 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37.6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

12P10G-TN3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

12P10

Preliminary

Power MOSFET

100V P-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION

The 12P10 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS

technology to provide excellent R_DS(ON), low gate charge and

operation with low gate voltages. This device is suitable to be

used in low voltage applications such as audio amplifier, high

efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

FEATURES

* R_DS(ON)= 0.29Ω @V_GS= -10 V

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SYMBOL

Lead-free:

12P10L

Halogen-free: 12P10G

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Normal

Lead Free

Halogen Free

12P10G-TN3-R

12P10G-TN3-T

12P10-TN3-R

12P10-TN3-T

12P10L-TN3-R

12P10L-TN3-T

TO-252

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-262.a

12 3 4 5 6 7

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与12P10G-TN3-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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12P10G-TQ2-R	UTC	9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
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