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11N50L-TF1-T

更新时间： 2024-02-03 11:05:00

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	180K
描述
11A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

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11N50L-TF1-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	670 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

11N50L-TF1-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

11N50

Preliminary

Power MOSFET

11A, 500V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 11N50 is an N-channel enhancement mode power

MOSFET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to

provide customers perfect switching performance, minimal on-state

resistance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche

and commutation mode.

The UTC 11N50 is universally applied in electronic lamp

ballasts based on half bridge topology, high efficiency switched

mode power supplies, active power factor correction, etc.

FEATURES

* R_DS(ON)=0.55Ω @ V_GS=10V

* Fast Switching

* With 100% Avalanche Tested

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Pin Assignment

Ordering Number

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

11N50L-TA3-T

11N50L-TF1-T

11N50L-TF3-T

11N50G-TA3-T

11N50G-TF1-T

11N50G-TF3-T

TO-220

TO-220F1

TO-220F

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-462.c

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与11N50L-TF1-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
11N50L-TF3-T	UTC	11A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
11N60KG-TF2-T	UTC	N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET	获取价格
11N60KL-TF2-T	UTC	N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET	获取价格
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