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UT62L6416BS-70LL

更新时间： 2024-01-29 01:56:31
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 194K
描述
64K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

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UT62L6416BS-70LL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FBGA, BGA48,6X8,30Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
端子数量：48字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-20 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.000006 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.025 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

UT62L6416BS-70LL 数据手册

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UTRON  
UT62L6416  
64K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM  
Preliminary Rev. 0.1  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The UT62L6416 is a 1,048,576-bit low power  
CMOS static random access memory organized  
as 65,536 words by 16 bits.  
ꢀ Fast access time :  
55ns(max) for Vcc=3.0V~3.6V  
70/100ns(max) for Vcc=2.7V~3.6V  
ꢀ CMOS Low operating power  
The UT62L6416 operates from a single 2.7V ~  
3.6V power supply and all inputs and outputs are  
fully TTL compatible.  
Operating current: 45/35/25mA (Icc max)  
Standby current: 20 uA(TYP.) L-version  
3 uA(TYP.) LL-version  
ꢀ Single 2.7V~3.6V power supply  
ꢀ Operating temperature:  
The UT62L6416 is design for upper and low byte  
access by data byte control(  
).  
℃
℃
℃
UB LB  
Commercial : 0 ~70  
℃
Extended : -20 ~80  
ꢀ All inputs and outputs TTL compatible  
ꢀ Fully static operation  
PIN DESCRIPTION  
ꢀ Three state outputs  
ꢀ Data retention voltage: 1.5V (min)  
SYMBOL  
DESCRIPTION  
Address Inputs  
ꢀ Data byte control :  
(I/O1~I/O8)  
(I/O9~I/O16)  
Ⅱ
LB  
UB  
A0 - A15  
I/O1 - I/O16  
Data Inputs/Outputs  
Chip Enable Input  
Write Enable Input  
Output Enable Input  
Lower-Byte Control  
High-Byte Control  
ꢀ Package : 44-pin 400mil TSOP  
CE  
WE  
OE  
LB  
UB  
VCC  
VSS  
NC  
48-pin 6mm × 8mm TFBGA  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Power Supply  
A0  
Ground  
A1  
A2  
No Connection  
A3  
.
V
MEMORY ARRAY  
CC  
A4  
ROW  
1024 Rows x 64 Columns x 16 bits  
.
.
A8  
DECODER  
V
SS  
A12  
A13  
A14  
A15  
. . .  
COLUMNI/O  
I/O  
I/O1  
.
.
.
.
.
.
.
.
.
CONTROL  
I/O16  
COLUMN DECODER  
CE  
WE  
OE  
LOGIC  
CONTROL  
LB  
UB  
A11 A10 A9 A7 A6 A5  
UTRON TECHNOLOGY INC.  
1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.  
TEL: 886-3-5777882 FAX: 886-3-5777919  
P80073  
1
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