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UT62L6416(E)

更新时间： 2022-01-18 18:38:00

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描述
ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

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UT62L6416(E) 数据手册



UTRON

UT62L6416

64K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

Rev. 1.1

REVISION HISTORY

REVISION

Preliminary Rev. 0.1 Original.

DESCRIPTION

Released Date

Sep 5, 2001

Jul 25, 2002

Rev. 1.0

1.Revised Access time : 55/70/100nsB55/70ns

2.Revised Standby current : Delete 20uA(TYP.) L-version

3.Revised extended temp : -20℃~80℃B-20℃~85℃

4.Revised block diagram

5.Revised DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS：

a. 55ns Icc MAX. : 45B35mA

b. 70ns Icc MAX. : 35B25mA

c. 55ns Icc TYP. : 30B25mA

d. 70ns Icc TYP. : 25B20mA

e. I_SB1of LL-version

Typical : 3uAB2uA

Maximum : 25uAB10uA

6.Revised AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS：

a. t_BLZ: 5nsB10ns (min.)

b. t_OH: 0nsB10ns (min.)

7.Revised DATA RETENTION CHARACTERISTICS：

a. I_DR: Typical : 0.5uAB1uA , Maximum : 20uAB6uA

8.Revised 48-pin TFBGA package outline dimension：

a. Rev. 0.1 ball diameter=0.3mm

b. Rev.1.0 ball diameter=0.35mm

Rev. 1.1

May 09, 2003

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UTRON TECHNOLOGY INC.

P80073

1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.

TEL: 886-3-5777882 FAX: 886-3-5777919

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