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UT62L12916BS-70LL

更新时间: 2024-02-15 11:05:58
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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8页 233K
描述
128K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

UT62L12916BS-70LL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA48,6X8,30Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:48字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

UT62L12916BS-70LL 数据手册

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