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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.56 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | O-MUPM-X2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 175 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 9 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT6110R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon, |
|
| UT6110RHR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon, |
|
| UT61128C64 | ETC |
获取价格 |
128K X 64 SYNCHRONOUS PIPELINED BURST CMOS SRAM |
|
| UT61128C64Q-5 | ETC |
获取价格 |
128K X 64 SYNCHRONOUS PIPELINED BURST CMOS SRAM |
|
| UT61128C64T-5 | ETC |
获取价格 |
128K X 64 SYNCHRONOUS PIPELINED BURST CMOS SRAM |
|
| UT6120 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UT6120HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UT6120R | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UT6120RHR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 9A, Silicon, |
|
| UT6-12-40-F1 | ETC |
获取价格 |
THERMOELECT |
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