是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HALOGEN FREE PACKAGE-6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.68 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UT3458L-AB3-R | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, | |
UT3458L-AG6-R | UTC |
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4.1 A, 60 V (D-S) N-CHANNEL POWER MOSFET | |
UT347 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS | |
UT347E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC | |
UT35 | TELEDYNE |
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Thicker Film Tubular type Non-Inductive Resistors for Ultra High Voltage, High Energy | |
UT35E | ETC |
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ASIC | |
UT35ER | ETC |
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ASIC | |
UT35N06 | UTC |
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N-CH | |
UT35N06G-TN3-R | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, | |
UT35N06L-TN3-R | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, |