是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 2.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.13 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
UT2301ZL-AE3-R | UTC | 2.3A, 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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UT2302 | UTC | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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UT2302_11 | UTC | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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UT2302_15 | UTC | N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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UT2302-AE3-R | UTC | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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UT2302G-AE2-R | UTC | N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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