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UT2010E3

更新时间: 2024-09-16 09:44:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
9页 876K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS, B, 2 PIN

UT2010E3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS, B, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.61其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL

UT2010E3 数据手册

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