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USB50812CE3

更新时间: 2024-11-28 19:55:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 376K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 4 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8

USB50812CE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
其他特性:ULTRA LOW CAPACITANCE最小击穿电压:13.3 V
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:4端子数量:8
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:12 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

USB50812CE3 数据手册

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