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USB50803E3/TR7

更新时间: 2024-11-25 19:45:35
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美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
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4页 344K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

USB50803E3/TR7 技术参数

生命周期:Active包装说明:SOP-8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
最小击穿电压:4 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G8最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:2端子数量:8
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4最大重复峰值反向电压:3.3 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

USB50803E3/TR7 数据手册

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