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USB50412E3

更新时间: 2024-11-25 19:53:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 382K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

USB50412E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.56
其他特性:ULTRA LOW CAPACITANCE最小击穿电压:13.3 V
最大钳位电压:26 V配置:COMMON BIPOLAR TERMINAL, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压:12 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

USB50412E3 数据手册

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