US4717NBGI8

更新时间： 2024-09-08 06:01:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	271K
描述
4.5 OHM LOW VOLTAGE, HIGH BANDWIDTH, DUAL SPDT ANALOG SWITCH

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

US4717NBGI8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	HVSON,	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
模拟集成电路 - 其他类型：	SPDT	JESD-30 代码：	S-XDSO-N10
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	1	信道数量：	1
功能数量：	2	端子数量：	10
标称断态隔离度：	55 dB	通态电阻匹配规范：	0.1 Ω
最大通态电阻 (Ron)：	4.5 Ω	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	HVSON	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
最长断开时间：	40 ns	最长接通时间：	30 ns
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

US4717NBGI8 数据手册

PRELIMINARY DATASHEET

4.5 OHM LOW VOLTAGE, HIGH BANDWIDTH, DUAL SPDT ANALOG SWITCH

IDTUS4717

Description

Features

The IDTUS4717 low on-resistance (R ), low voltage, dual

single-pole/double-throw (SPDT) analog switch operates

from a single +2.7 V to +3.6 V supply. The IDTUS4717

• USB 1.1 signal switching compliant

• 2ns (max) differential skew

• -3dB bandwidth > 90 MHz

• Low 15 pF on-channel capacitance

• 2.7 V to 3.6 V single-supply operation

• Rail-to-rail signal handling

features a 4.5Ω (max) R for its NC switch and a 4.5Ω

(max) R for its NO switch at a +3.0 V supply. It also

features break-before-make switching action (1ns) with

<80ns and t

<40ns at +2.7 V. Available in 3x3 DFN,

OFF

or 10-bump CSP package.

• R match between channels: 0.3Ω (max)

• R flatness over signal range: 1.2Ω (max)

Applications

• NCx switch R : 4.5Ω max (3 V supply)

• USB 1.1 signal switching circuits

• Speaker headset switching

• MP3 players

• Battery-operated equipment

• Audio and video signal routing

• PCMCIA cards

• NOx switch R : 4.5Ω max (3 V supply)

• Low crosstalk: -80dB (10 MHz)

• High off-oscillation: -55dB (10 MHz)

• THD: 0.02%

• 1 mA (max) supply current

• Low leakage currents: <0.5nA at T = +25°C

• Cellular phones

• Modems

• 10-bump, 0.5 mm pitch UCSP or 10-lead, 0.5 mm pitch

3x3 mm DFN packages

• PDAs

Block Diagram

IDT™ 4.5 OHM LOW VOLTAGE, HIGH BANDWIDTH, DUAL SPDT ANALOG SWITCH 1

IDTUS4717

REV D 012407

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与US4717NBGI8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
US4881	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	CMOS Low Voltage High Sensitivity Latch
US4881	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage & Very High Sensitivity
US4881_12	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage and Very High Sensitivity
US4881ESEAAA-000RE	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage and Very High Sensitivity
US4881ESO	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage & Very High Sensitivity
US4881EUA	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage & Very High Sensitivity
US4881EUAAAA-000BU	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage and Very High Sensitivity
US4881KSEAAA-000RE	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage and Very High Sensitivity
US4881KSO	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage & Very High Sensitivity
US4881KUA	MELEXIS	获取价格	Bipolar Hall Switch Low Voltage & Very High Sensitivity

与US4717NBGI8相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

56
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

48
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

81
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

92

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

US4717NBGI8

US4717NBGI8 技术参数

US4717NBGI8 数据手册

与US4717NBGI8相关器件

与US4717NBGI8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

US4717NBGI8

US4717NBGI8 技术参数

US4717NBGI8 数据手册

与US4717NBGI8相关器件

与US4717NBGI8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？