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US1DB

更新时间： 2024-01-23 23:48:05
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页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER

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US1DB 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.1
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUALBase Number Matches：1

US1DB 数据手册

  
SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD.  
US1AB THRU US1MB  
SURFACE MOUNT ULTRA  
FAST SWITCHING RECTIFIER  
TECHNICAL  
SPECIFICATION  
VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A  
FEATURES  
• Ideal for surface mount pick and  
place application  
SMB/DO-214AA  
B
• Low profile package  
A
F
C
• Built-in strain relief  
• High surge capability  
D
• Glass passivated chip  
• Ultra fast recovery for high efficiency  
• High temperature soldering guaranteed:  
260oC/10sec/at terminal  
H
G
MECHANICAL DATA  
• Terminal: Plated leads solderable per  
A
B
C
D
MAX. .155(3.94) .180(4.57) .083(2.11) .012(0.305)  
MIN. .130(3.30) .160(4.06) .077(1.96) .006(0.152)  
MIL-STD 202E, method 208C  
• Case: Molded with UL-94 Class V-O  
recognized flame retardant epoxy  
E
F
G
H
MAX. .220(5.59) .096(2.44) .008(0.203) .060(1.52)  
MIN. .205(5.21) .084(2.13) .004(0.102) .030(0.76)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
• Polarity: Color band denotes cathode  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25oC, unless otherwise stated, for capacitive load,  
derate current by 20%)  
US1 US1 US1 US1 US1 US1 US1  
AB BB DB GB JB KB MB  
RATINGS  
SYMBOL  
UNITS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100 200 400 600 800 1000  
70 140 280 420 560 700  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
(TL=100oC)  
100 200 400 600 800 1000  
IF(AV)  
1.0  
A
Peak Forward Surge Current (8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
(at rated forward current)  
IFSM  
VF  
30  
A
V
1.0  
1.4  
1.7  
Ta=25oC  
5.0  
Maximum DC Reverse Current  
µA  
µA  
IR  
Ta=100oC  
200  
(at rated DC blocking voltage)  
50  
20  
75  
10  
Maximum Reverse Recovery Time  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
trr  
CJ  
nS  
pF  
oC/W  
oC  
32  
Rθ(ja)  
-50 to +150  
T
STG,TJ  
Storage and Operation Junction Temperature  
Note:  
1.Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A,Irr=0.25A.  
2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc  
3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area  
http://www.sse-diode.com  
1

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