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US112S-4

更新时间： 2024-01-17 18:59:03

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	197K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 12000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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US112S-4 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	2 mA	通态非重复峰值电流：	146 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	12000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大均方根通态电流：	12 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

US112S-4 数据手册

UTC US112S/N

SCR

SCRs

DESCRIPTION

The UTC US112S/N is suitable to fit all modes of

control found in applications such as overvoltage

crowbar protection, motor control circuits in power

tools and kitchen aids, in-rush current limiting circuits,

capacitive discharge ignition, voltage regulation

circuits...

TO-220

1: CATHODE

SYMBOL

2: ANODE

RATING

3: GATE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

UNIT

PARAMETER

US112S

US112N

Repetitive peak off-state voltages

US112S/N-4

V^DRM

VRRM

400

600

800

US112S/N-6

US112S/N-8

RMS on-state current (180° conduction angle) (Tc = 105°C)

Average on-state current (180° conduction angle) (Tc = 105°C)

Non repetitive surge peak on-state current (Tj = 25°C)

tp=8.3ms

IT(RMS)

IT(AV)

ITSM

146

140

tp=10ms

I²t Value for fusing (tp = 10 ms, Tj = 25°C)

Critical rate of rise of on-state current

(IG = 2 x IGT , tr ≤ 100 n s, F = 60 Hz , Tj = 125°C,)

I²t

A²S

A/µs

dI/dt

Peak gate current (tp=20µs, Tj = 125°C)

Maximum peak reverse gate voltage

Average gate power dissipation (Tj = 125°C)

Storage junction temperature range

IGM

VRGM

PG(AV)

Tstg

°C

-40 ~ +150

-40 ~ +125

Operating junction temperature range

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R301-013,B

12 3 4 5

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与US112S-4相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
US112S-6	UTC	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 12000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
US112S-8	UTC	Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 12000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
US112SG-4-TA3-T	UTC	SCRS	获取价格
US112SG-6-TA3-T	UTC	SCRS	获取价格
US112SG-6-TF3-T	UTC	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
US112SG-8-TA3-T	UTC	SCRS	获取价格