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UPD5555C

更新时间: 2024-02-25 16:24:25
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日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
8页 284K
描述
MOS INTEGRATED CIRCUIT

UPD5555C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83模拟集成电路 - 其他类型:PULSE; RECTANGULAR
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:70 °C最低工作温度:-20 °C
最大输出频率:0.5 GHz封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电流 (Isup):0.35 mA最大供电电压 (Vsup):16 V
最小供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

UPD5555C 数据手册

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