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UPD45128841G5-A75LI-9JF

更新时间： 2024-10-30 14:38:43

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
85页	725K
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Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, MOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54

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UPD45128841G5-A75LI-9JF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

UPD45128841G5-A75LI-9JF 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

μPD45128441-I, 45128841-I

128M-bit Synchronous DRAM

4-bank, LVTTL

WTR (Wide Temperature Range)

Description

The μPD45128441, 45128841 are high-speed 134,217,728-bit synchronous dynamic random-access memories,

organized as 8,388,608 × 4 × 4, 4,194,304 × 8 × 4 (word × bit × bank), respectively.

The synchronous DRAMs achieved high-speed data transfer using the pipeline architecture.

All inputs and outputs are synchronized with the positive edge of the clock.

The synchronous DRAMs are compatible with Low Voltage TTL (LVTTL).

These products are packaged in 54-pin TSOP (II).

Features

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0(A13) and BA1(A12)

• Programmable Wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable burst length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable /CAS latency (2 and 3)

• Ambient temperature (T^A): −40 to + 85°C

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• ×4, ×8 organization

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible inputs and outputs

• 4,096 refresh cycles / 64 ms

• Burst termination by Burst stop command and Precharge command

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0345N10 (Ver. 1.0)

Date Published February 2003 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

This product became EOL in April, 2007.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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UPD45128841G5-A80-9JF	NEC	获取价格	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
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UPD45128841G5-A80L-9JF	ELPIDA	获取价格	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD45128841G5-A80L-9JF	NEC	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, MOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
UPD45128841G5-A80LI-9JF	ELPIDA	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, MOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54
UPD45128841G5-A80LT-9JF	ETC	获取价格	SDRAM\|4X4MX8\|CMOS\|TSOP\|54PIN\|PLASTIC
UPD45128841G5-A80T-9JF	ETC	获取价格	SDRAM\|4X4MX8\|CMOS\|TSOP\|54PIN\|PLASTIC

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