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UPD45128841G5-A75-9JF

更新时间： 2024-10-29 22:44:31

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
92页	669K
描述
128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL

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UPD45128841G5-A75-9JF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.15	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

UPD45128841G5-A75-9JF 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD45128441, 45128841, 45128163

128M-bit Synchronous DRAM

4-bank, LVTTL

Description

The µPD45128441, 45128841, 45128163 are high-speed 134,217,728-bit synchronous dynamic random-access

memories, organized as 8,388,608 × 4 × 4, 4,194,304 × 8 × 4, 2,097,152 × 16 × 4 (word × bit × bank), respectively.

The synchronous DRAMs achieved high-speed data transfer using the pipeline architecture.

All inputs and outputs are synchronized with the positive edge of the clock.

The synchronous DRAMs are compatible with Low Voltage TTL (LVTTL).

These products are packaged in 54-pin TSOP (II).

Features

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0(A13) and BA1(A12)

• Byte control (×16) by LDQM and UDQM

• Programmable Wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable burst length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable /CAS latency (2 and 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• ×4, ×8, ×16 organization

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible inputs and outputs

• 4,096 refresh cycles / 64 ms

• Burst termination by Burst stop command and Precharge command

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0031N30 (Ver. 3.0)

Date Published August 2001 CP (K)

Printed in Japan

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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UPD45128841G5-A75A-9JF	ELPIDA	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, MOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54
UPD45128841G5-A75L-9JF	ELPIDA	获取价格	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD45128841G5-A75LI-9JF	ELPIDA	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, MOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54
UPD45128841G5-A75LT-9JF	ETC	获取价格	SDRAM\|4X4MX8\|CMOS\|TSOP\|54PIN\|PLASTIC
UPD45128841G5-A75T-9JF	ETC	获取价格	SDRAM\|4X4MX8\|CMOS\|TSOP\|54PIN\|PLASTIC
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UPD45128841G5-A80-9JF	ELPIDA	获取价格	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD45128841G5-A80L-9JF	ELPIDA	获取价格	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD45128841G5-A80L-9JF	NEC	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, MOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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