是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 3.5 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.7 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD4482163GF-A60-A | NEC |
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Cache SRAM, 512KX16, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 | |
UPD4482163GF-A60-A | RENESAS |
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IC,SYNC SRAM,512KX16,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC | |
UPD4482163GF-A60Y | NEC |
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8M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST SRAM PIPELINED OPERATION DOUBLE CYCLE DESELECT | |
UPD4482163GF-A60Y | RENESAS |
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Cache SRAM, 512KX16, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 | |
UPD4482181 | NEC |
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8M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST SRAM FLOW THROUGH OPERATION | |
UPD4482181GF-A65 | NEC |
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8M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST SRAM FLOW THROUGH OPERATION | |
UPD4482181GF-A65-A | NEC |
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暂无描述 | |
UPD4482181GF-A65Y | NEC |
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Cache SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 | |
UPD4482181GF-A75 | NEC |
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8M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST SRAM FLOW THROUGH OPERATION | |
UPD4482181GF-A75-A | NEC |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 |