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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.72 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD4464G-12 | NEC |
获取价格 |
8,192 X 8 - BIT STATIC CMOS RAM |
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| UPD4464G-12L | NEC |
获取价格 |
8,192 X 8 - BIT STATIC CMOS RAM |
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| UPD4464G-15 | NEC |
获取价格 |
8,192 X 8 - BIT STATIC CMOS RAM |
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| UPD4464G-15L | NEC |
获取价格 |
8,192 X 8 - BIT STATIC CMOS RAM |
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| UPD4464G-20 | NEC |
获取价格 |
8,192 X 8 - BIT STATIC CMOS RAM |
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| UPD4464G-20L | NEC |
获取价格 |
8,192 X 8 - BIT STATIC CMOS RAM |
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| UPD446D-5 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
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| UPD446G | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,24PIN,PLASTIC |
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| UPD446G-1 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,24PIN,PLASTIC |
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| UPD446G-15 | NEC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, PDFP24, MINI, FP-24 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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