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UPD4464C-12L

更新时间: 2024-11-25 12:16:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 284K
描述
8,192 X 8 - BIT STATIC CMOS RAM

UPD4464C-12L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.72 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

UPD4464C-12L 数据手册

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