是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 8.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
端子数量: | 100 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.012 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.28 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
UPD4442161GF-C75 | RENESAS | Cache SRAM, 256KX16, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, LQFP-100 |
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UPD4442161GF-C85 | RENESAS | Cache SRAM, 256KX16, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, LQFP-100 |
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UPD4442162GF-A40Y | RENESAS | IC,SYNC SRAM,256KX16,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC |
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UPD4442162GF-A44Y | RENESAS | Cache SRAM, 256KX16, 2.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, LQFP-100 |
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UPD4442162GF-A50Y | RENESAS | IC,SYNC SRAM,256KX16,CMOS,QFP,100PIN,PLASTIC |
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UPD4442162GF-A60C | NEC | Cache SRAM, 256KX16, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, LQFP-100 |
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