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UPD44164185F5-E60-EQ1

更新时间： 2024-02-17 03:01:09

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日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器双倍数据速率
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18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION

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UPD44164185F5-E60-EQ1 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
端子数量：	165	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	1MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.15 A	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

UPD44164185F5-E60-EQ1 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD44164085, 44164185, 44164365

18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O

2-WORD BURST OPERATION

Description

The µPD44164085 is a 2,097,152-word by 8-bit, the µPD44164185 is a 1,048,576-word by 18-bit and the

µPD44164365 is a 524,288-word by 36-bit synchronous double data rate static RAM fabricated with advanced CMOS

technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The µPD44164085, µPD44164185 and µPD44164365 integrates unique synchronous peripheral circuitry and a

burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and /K) are latched on the positive edge of K and

/K.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high

density and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.

Features

• 1.8 ± 0.1 V power supply and HSTL I/O

• DLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• Separate independent read and write data ports

• DDR read or write operation initiated each cycle

• Pipelined double data rate operation

• Separate data input/output bus

• Two-tick burst for low DDR transaction size

• Two input clocks (K and /K) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two output clocks (C and /C) for precise flight time and clock skew matching-clock

and data delivered together to receiving device

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability with µs restart

• User programmable impedance output

• Fast clock cycle time : 4.0 ns (250 MHz), 5.0 ns (200 MHz), 6.0 ns (167 MHz)

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG boundary scan

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M15823EJ7V1DS00 (7th edition)

Date Published July 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2001

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD44164362AF5-E33-EQ2	NEC	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44164362AF5-E33-EQ2-A	NEC	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44164362AF5-E40-EQ2	NEC	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44164362AF5-E40-EQ2-A	NEC	DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44164362AF5-E50-EQ2-A	RENESAS	512KX36 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44164362F5-E30-EQ1	RENESAS	DDR SRAM, 512KX36, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165	获取价格

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