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UPD4364G-10LL

更新时间: 2024-11-06 12:16:59
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日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
6页 311K
描述
8192 X 8 BIT STATIC CMOS RAM

UPD4364G-10LL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MINI, PLASTIC, FP-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.5 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:MIXMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:8.4 mm
Base Number Matches:1

UPD4364G-10LL 数据手册

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