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UPD4364CX-12

更新时间: 2024-09-15 12:16:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 311K
描述
8192 X 8 BIT STATIC CMOS RAM

UPD4364CX-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.300 INCH, SLIM, PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MIXMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

UPD4364CX-12 数据手册

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