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UPD434016AG5-12-7JF

更新时间: 2024-12-01 12:16:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 452K
描述
4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT

UPD434016AG5-12-7JF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.88
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD434016AG5-12-7JF 数据手册

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