Datasheet > 存储 > SRAM> UPD431000AGW-85L-A

UPD431000AGW-85L-A

更新时间： 2024-12-01 13:15:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
32页	227K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

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UPD431000AGW-85L-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e3/e6	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.95 mm	最小待机电流：	2 V
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.3 mm
Base Number Matches：	1

UPD431000AGW-85L-A 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD431000A

1M-BIT CMOS STATIC RAM

128K-WORD BY 8-BIT

Description

The µPD431000A is a high speed, low power, and 1,048,576 bits (131,072 words by 8 bits) CMOS static RAM.

The µPD431000A has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity. And battery backup is available. In

addition to this, A and B versions are low voltage operations.

The µPD431000A is packed in 32-pin PLASTIC DIP, 32-pin PLASTIC SOP and 32-pin PLASTIC TSOP (I) (8 × 13.4

mm) and (8 × 20 mm).

Features

• 131,072 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

• Low voltage operation (A version: V^CC= 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

• Operating ambient temperature: T^A= 0 to 70 °C

• Low V^CCdata retention: 2.0 V (MIN.)

• Output Enable input for easy application

• Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2

Part number

Access time

ns (MAX.)

Operating supply Operating ambient

Supply current

voltage

temperature

°C

At operating At standby At data retention

mA (MAX.) µA (MAX.)

µA (MAX.) ^Note1

µPD431000A-xxL

µPD431000A-xxLL

µPD431000A-Axx

µPD431000A-Bxx

70, 85

4.5 to 5.5

0 to 70

100

70 ^Note2, 100

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

35 ^Note3

30 ^Note4

13 ^Note5

11 ^Note6

70 ^Note2, 100, 120, 150

Notes 1. T^A≤ 40 °C

2. VCC = 4.5 to 5.5 V

3. 70 mA (VCC > 3.6 V)

4. 70 mA (VCC > 3.3 V)

5. 20 µA (VCC > 3.6 V)

6. 20 µA (VCC > 3.3 V)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. M11657EJBV0DS00 (11th edition)

Date Published April 2002 NS CP (K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

1990, 1993, 1995

12 3 4 5 6 7...32

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