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UPD431000AGW-85L PDF预览

UPD431000AGW-85L

更新时间： 2024-12-01 12:19:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
32页 227K
描述
1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT

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UPD431000AGW-85L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.17最长访问时间：85 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.95 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.3 mmBase Number Matches：1

UPD431000AGW-85L 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
µPD431000A  
1M-BIT CMOS STATIC RAM  
128K-WORD BY 8-BIT  
Description  
The µPD431000A is a high speed, low power, and 1,048,576 bits (131,072 words by 8 bits) CMOS static RAM.  
The µPD431000A has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity. And battery backup is available. In  
addition to this, A and B versions are low voltage operations.  
The µPD431000A is packed in 32-pin PLASTIC DIP, 32-pin PLASTIC SOP and 32-pin PLASTIC TSOP (I) (8 × 13.4  
mm) and (8 × 20 mm).  
Features  
• 131,072 words by 8 bits organization  
• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)  
• Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)  
• Operating ambient temperature: TA = 0 to 70 °C  
• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)  
• Output Enable input for easy application  
• Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2  
Part number  
Access time  
ns (MAX.)  
Operating supply Operating ambient  
Supply current  
voltage  
V
temperature  
°C  
At operating At standby At data retention  
mA (MAX.) µA (MAX.)  
µA (MAX.) Note1  
µPD431000A-xxL  
µPD431000A-xxLL  
µPD431000A-Axx  
µPD431000A-Bxx  
70, 85  
4.5 to 5.5  
0 to 70  
70  
100  
20  
15  
3
70 Note2, 100  
3.0 to 5.5  
2.7 to 5.5  
35 Note3  
30 Note4  
13 Note5  
11 Note6  
70 Note2, 100, 120, 150  
Notes 1. TA ≤ 40 °C  
2. VCC = 4.5 to 5.5 V  
3. 70 mA (VCC > 3.6 V)  
4. 70 mA (VCC > 3.3 V)  
5. 20 µA (VCC > 3.6 V)  
6. 20 µA (VCC > 3.3 V)  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. M11657EJBV0DS00 (11th edition)  
Date Published April 2002 NS CP (K)  
Printed in Japan  
The mark ★ shows major revised points.  
©
1990, 1993, 1995  
1234567...32

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UPD431000AGW-85L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD431000AGW-85L-A NEC

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 		Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
UPD431000AGW-85L-A RENESAS

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 		128KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
UPD431000AGW-85LL NEC

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 		1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT
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