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UPD42S4170LG5M-A80

更新时间: 2024-01-17 10:08:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 655K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40

UPD42S4170LG5M-A80 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2-R,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G40
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.13 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

UPD42S4170LG5M-A80 数据手册

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